La Samsung M321R8GA0PB0-CWMCJ es una memoria RDIMM DDR5-5600 ECC de 64 GB de alto rendimiento que ofrece una integridad de datos avanzada y una gran eficiencia energética. Con velocidades de transferencia de hasta 5600 MT/s, está diseñada específicamente para acelerar las cargas de trabajo modernas de IA, la nube y los servidores empresariales.
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Original Brand: 1-Year Warranty; OEM/Compatible Solutions: 3-Year Warranty.El Samsung M321R8GA0PB0-CWMCJ es un producto de alto rendimiento 64 GB DDR5-5600 ECC Módulo DIMM registrado (RDIMM) diseñado para servidores empresariales, plataformas de computación en la nube y centros de datos modernos. Fabricado con tecnología DDR5 avanzada, ofrece velocidades de transferencia de datos de hasta 5600 MT/s, proporcionando un ancho de banda significativamente mayor y una mejor capacidad de respuesta del sistema en comparación con la memoria de la generación anterior. Con corrección de errores ECC y arquitectura registrada, este módulo mejora la integridad de los datos, la fiabilidad y la estabilidad general del sistema en entornos de misión crítica. Su configuración de doble rango 2Rx4 y su bajo voltaje de funcionamiento de 1,1 V ayudan a optimizar el rendimiento y a mejorar la eficiencia energética. El M321R8GA0PB0-CWMCJ es una solución de memoria ideal para cargas de trabajo de IA, virtualización, computación de alto rendimiento y aplicaciones empresariales a gran escala.
Proporciona memoria de alta densidad para admitir aplicaciones empresariales exigentes y una virtualización densa.
Proporciona velocidades de transferencia de datos DDR5 excepcionales para un ancho de banda y una capacidad de respuesta del sistema superiores.
Mejora la integridad y la fiabilidad de los datos para operaciones de servidor continuas y de misión crítica.
Funciona a bajo voltaje para minimizar la huella térmica y reducir los costos de energía del centro de datos.
La arquitectura registrada optimizada garantiza una estabilidad de señal superior en configuraciones de servidor con alta carga.
Proporcionar memoria estable y de alta capacidad para las infraestructuras informáticas centrales.
Acelerar el procesamiento intensivo de datos para cargas de trabajo de inteligencia artificial.
Permite la computación escalable y el procesamiento masivo de datos.
Maximizar la densidad de máquinas virtuales y el rendimiento del hardware.
Proporciona un ancho de banda extremo para cálculos científicos complejos.
Garantizar la recuperación rápida de datos y una alta integridad de los mismos.
Procesamiento rápido y fiable de conjuntos de datos masivos.
Optimización de la memoria para algoritmos de entrenamiento e inferencia intensivos.
Garantizar un tiempo de actividad ininterrumpido y la corrección de errores para las operaciones esenciales.
| Especificación | Detalles |
|---|---|
| Fabricante | Samsung |
| Número de pieza | M321R8GA0PB0-CWMCJ |
| Capacidad de memoria | 64 GB |
| Tecnología de memoria | Memoria SDRAM DDR5 |
| Velocidad de memoria | 5600 MT/s (DDR5-5600) |
| Estándar de memoria | PC5-44800R |
| Tipo de módulo | RDIMM (DIMM registrado) |
| Corrección de errores | ECC (Código de corrección de errores) |
| Configuración de rango | 2Rx4 (Doble Rango x4) |
| Voltaje de funcionamiento | 1,1 V |
| Número de pines | 288 pines |
| Latencia CAS | CL46 |
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